반응형 K-MOOC 공부/반도 채 몰라도 들을 수 있는 반도체 소자 이야기4 4. 반도체 소자를 동작시키는 주인공 1. 전자(Electron)와 양공(Hole)의 농도 가. 고유 페르미 준위(Intrinsic fermi level) 반도체에서 페르미준위는 기준 Ef에서 전자가 발견될 확률이 50%인 지점 출처 : http://slideplayer.com/slide/3514044/ 결국 에너지 밴드 다이그램에서 Ec와 Ev의 중간정도에 intrinsic fermi level이 있다. 출처 : http://slideplayer.com/slide/11363653/ 나. 전자, 홀의 농도 출처 : http://slideplayer.com/slide/11363653/ 전자가 발생하면 양공이 생기기 때문에 전자의 농도는 곧 양공의 농도라고 할 수 있다. 2. 전자와 양공의 이동 가. 수송자(Carrier) DDR에 의해서 이동.. 2018. 3. 26. 3. 반도체 소자의 동작의 원리 1. 도핑(Doping) 가. 반도체에서 도핑이란? 실리콘 원자 1개를 다른 원소로 대체하면 자유전자와 Hole이 발생한다. 반은 도체, 반은 부도체의 원천 출처 : http://slideplayer.com/slide/10985708/ * 기증(Donors) : 실리콘(si)에 5족원소 재료를 섞으면 원자당 자유전자(Electron) 1개가 늘어난다. * 받음(Acceptor) : 실리콘(si)에 3족원소 재료를 섞으면 원자당 양공(Hole)이 1개 늘어난다. 따라서 도핑의 농도를 어떻게 하느냐에 따라 자유전자, 양공의 갯수를 제어할 수 있다. ----- 나. 도핑의 밴딩모델 출처 : http://slideplayer.com/slide/10985708/ 도너과 억셉트에 따라서 자유전자를 얻거나 이동하는 .. 2018. 3. 21. 2. 반도체 재료 이해를 위한 도구 1. 전자(Electron)과 양공(Hole) 가. 규소(Sillicon, 실리콘)의 전자적 특성 - 저항률(Resistivity)가 10^-3(1/1000)이 된다고 한다. - 하시만 불순물을 주입하면 저항률을 1,000,000배까지 올릴 수 있다고 한다. 그에 따라 저항을 마음대로 제어할 수 있기 때문에 반도체의 소재에 널리 쓰이는 것이다. 나. 2가지 특성 1) Mobile : 흐를 수 있어야 된다. 2) Charge : 전하(전기 현상을 일으키는 물질)를 띄고 있어야 된다. 따라서 반도체 안에는 전자와 양공이 있다. ※ 양공 : 양의 전하를 띄고 있으며, 구멍처럼 보이는 입자 다. 전자와 양공의 양을 바꾸는 방법 *공정중 * 1) 도펀트(Dopant) 주입 도펀트는 불순물이다. *공정후 * 2) .. 2018. 3. 18. 1. 반도체의 기초 1. 반도체 기술 개발 역사 이해 - 더욱 작게 만드는 반도체 - 나노미터의 이해(1nm) : 바이러스가 1000nm정도 된다고 한다. - 반도체의 부품은 얼마나 작은가?? 1) 트렌지스터 : 20~30nm ※ 트렌지스터란? 전자의 이동경로 가. 반도체의 역사 1) 1958년 잭 킬비 : 게르마늄(ge)를 통해 직접회로(IC)를 제작함 출처 : http://wvegter.hivemind.net/abacus/CyberHeroes/Kilby.htm 2) 1959년 로버트 노이스 : 실리콘(si, 규소)를 이용하여 0.06inch 직경의 웨이퍼 위에 직접회로를 제작함(페어차일드 세미컨덕터) 출처 : http://www.swinnovation.co.uk/2011/05/southwest-celebrates-50-.. 2018. 3. 13. 이전 1 다음 반응형
